突破传统界限，引领功率半导体革命
我们的第三代半导体功率器件以卓越的性能重新定义能效标准，为新能源、电动汽车和工业电子带来前所未有的突破。
沟槽型功率场效应管
IGBT
TOLL
SGT型功率MOSFET
突破性技术优势
第三代半导体材料（以碳化硅SiC和氮化镓GaN为代表）以其卓越的物理特性，彻底突破了传统硅基器件的性能极限，为电能转换带来革命性提升。
🔋 1. 宽禁带特性
关键指标：禁带宽度达 3.26 eV（SiC）和 3.4 eV（GaN），约为硅的 3 倍。
优势体现：能够承受更高的电场强度与工作温度。
性能提升：击穿电场强度提升 10 倍。
⚡ 2. 低损耗特性
关键指标：导通电阻可低至硅基器件的 1/100，开关损耗相比硅基 IGBT 降低 50% 以上。
优势体现：大幅提升系统整体效率与能源利用率。
性能提升：系统效率最高可达 99.1%。
🌡️ 3. 高热导率
关键指标：SiC 热导率高达 4.9 W/(cm·K)，约为硅的 3 倍、GaN 的 3.7 倍。
优势体现：确保器件在高功率密度工况下仍能高效散热，保持稳定。
性能提升：工作温度上限提升至 200°C 以上。
📈 4. 高频特性
关键指标：电子饱和漂移速度高达 2.46×10⁷ cm/s，约为硅的 3 倍。
优势体现：支持 MHz 级高频开关，显著降低开关损耗与无源器件体积。
性能提升：开关频率提升 5 – 10 倍。
🏗️ 5. 高功率密度
关键指标：电流密度可达 700 A/cm³。
优势体现：在相同功率等级下，器件体积可比硅基方案显著减小。
性能提升：系统功率密度提升 2 – 3 倍。
☢️ 6. 卓越抗辐射能力
关键指标：宽禁带材料本身具有更强的原子键结与稳定性。
优势体现：在太空、核工业等强辐射极端环境下仍能保持可靠工作。
性能提升：抗辐射能力提升 2 个数量级以上。
金誉优势封装
- TOLL/TOLT
- CLIP
- PDFN3*3
- PDFN5*6
- TO-220
- TO-252
- TO-247
- TO-263
广泛应用场景
第三代半导体（碳化硅SiC与氮化镓GaN）功率器件已在多个前沿领域实现规模化应用，为各行业带来革命性的效能提升与系统变革。
🚗 电动汽车
SiC功率模块广泛应用于电动汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，助力实现更高系统效率与更长续航里程。
- 主驱逆变器效率提升 3–5%
- 整车续航里程增加 5–7%
- 快充时间缩短 15–20%
🌞 新能源发电
在光伏逆变器与风力发电系统中，SiC与GaN器件可显著提升能源转换效率，降低系统体积与全生命周期成本。
- 光伏逆变器最高效率达 99.1%
- 系统功率密度提升，体积缩小约 50%
- 平准化度电成本（LCOE）降低 3–5%
🏭 工业电子
在工业电机驱动、不间断电源（UPS）及高端电源系统中，第三代半导体器件可实现更高功率密度、更快响应与更高可靠性。
- 电机驱动系统效率提升 2–3%
- 动态响应速度提升至传统方案的 5 倍
- 散热系统成本降低约 40%
📱 消费电子
GaN快充技术已彻底改变消费电子充电体验，实现更小体积、更高功率与更高效率的充电解决方案。
充电器体积缩小 60% 以上
充电功率普遍提升至 100W+
整机充电效率超过 95%
⚡ 智能电网
在高压直流输电（HVDC）与柔性交流输电系统中，SiC器件可大幅提升电能转换效率与系统可控性。
输电线路损耗降低 15% 以上
系统响应与调节速度提升 10 倍
关键设备服役寿命延长 2–3 倍
✈️ 航空航天
第三代半导体器件凭借其高可靠性、耐高温与抗辐射能力，在航空航天供电与推进系统中具备独特优势。
抗辐射能力提升 2 个数量级以上
电源系统重量减轻 30–40%
极端环境下的运行可靠性显著提升
